類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷帶
Product Status
在售
FET 類型
P 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
8 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
6A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
30 毫歐 @ 5.3A，4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
800mV @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
29 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±5V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1485 pF @ 4 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
SOT-23-3（TO-236）
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本產(chǎn)品編號
SI2329
