制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET 類型 N 通道 漏源電壓（Vdss） 150 V 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 171A（Tc） 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250μA Vgs（最大值） ±30V 功率耗散（最大值） 517W（Tc） 工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型 通孔 封裝/外殼 TO-247-3 可售賣地 全國 類型 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET -
型號
其它產(chǎn)品還有：
SKRWADE030
SSAJ120100
SPVM110100
SKTAACE010
QT18B20
QT18E20
QT18B20M
QT18B20Z
GRM2195C1H103JA01D
GRM21BR61A226ME51L
GRM21BR6YA106KE43L
GRM31CR61C226KE15L
GRM31CR61E226KE15L
GRM32ER71H475KA88L
LQH32PN100MN0L
LQM18FN2R2M00D
LQW15AN33NJ00D
LQW15AN4N7C00D
LQW18AN33NG00D
LQW18AN33NJ00D
LQW18ANR39J00D
EEFLX0D471R4
EEFSX0D471XE
EEFSX0D471ER
EEFSX0D331XE
EEFSX0D331ER
EEFSX0E471ER
SSCM110100
SKHHAJA010
SPVT210101
SPVT110102
SKQMAQE010
SKTDLDE010
SKSWCEE010
SKRPACE010
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SKRBAAE010
SKSCLDE010
SKSWCFE010
SKRAAKE010
SKRKAEE020
SKQMASE010
SKRBACE010
SKSLLAE010
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SKTGLBE010
STK3235
MPQ2019GN-5-AEC1-Z
XH311HG-IV07E
SI32192-A-FM1R
