FQB55N10TM

FQB55N10TM

類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管-FET，MOSFET-單個(gè)
制造商
onsemi
系列
QFET
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
Digi-Reel得捷定制卷帶
ProductStatus
在售
FET類型
N通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)
55A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
10V
不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
26毫歐@27.5A，10V
不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）
4V@250μA
不同Vgs時(shí)柵極電荷(Qg)（最大值）
98nC@10V
Vgs（最大值）
±25V
不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）
2730pF@25V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
3.75W（Ta），155W（Tc）
工作溫度
-55°C~175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
D2PAK（TO-263）
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2引線+接片），TO-263AB
基本產(chǎn)品編號
FQB55N10