制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): SiC
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝 / 箱體: HiP-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 69 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 22 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5 V
Qg-柵極電荷: 162 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 200 C
Pd-功率耗散: 420 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Tube
商標(biāo): STMicroelectronics
產(chǎn)品類型: MOSFET
系列: SCTW100N65G2AG
工廠包裝數(shù)量: 600
子類別: MOSFETs
單位重量: 4.500 g
SCTW100N65G2AG
發(fā)布時間:2022/8/4 15:08:00 訪問次數(shù):64
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