類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管-FET，MOSFET-單個(gè)
制造商
onsemi
系列
-
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
ProductStatus
在售
FET類型
N通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)
115mA（Tc）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
5V，10V
不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
7.5歐姆@500mA，10V
不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）
2.5V@250μA
Vgs（最大值）
±20V
不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）
50pF@25V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）
工作溫度
-55°C~150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
SOT-23-3（TO-236）
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本產(chǎn)品編號
2N7002
FDMA910PZ
FGA4060ADF
FSUSB74UMX
NCL30086BDR2G
NCP1366BABAYDR2G
