技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
8A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
104 毫歐 @ 4A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
3V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷(Qg)（最大值）
19 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+10V，-20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
890 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
27W（Tc）
工作溫度
175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
DPAK+
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
基本產(chǎn)品編號
TJ8S06
