製造商: onsemi
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝/外殼: TO-247-4
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 1.2 kV
Id - C連續(xù)漏極電流: 68 A
Rds On - 漏-源電阻: 30 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 10 V, + 22 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 4.4 V
Qg - 閘極充電: 151 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 352 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
品牌: onsemi
配置: Single
下降時間: 13 ns
互導(dǎo) - 最小值: 34 S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 24 ns
450
子類別: MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時間: 48 ns
標(biāo)準(zhǔn)開啟延遲時間: 18 ns
