製造商: IXYS
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝/外殼: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 600 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 36 A
Rds On - 漏-源電阻: 90 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 5 V
Qg - 閘極充電: 29 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 446 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: HiPerFET
封裝: Tube
品牌: IXYS
配置: Single
下降時(shí)間: 4 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 8 ns
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子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時(shí)間: 45 ns
標(biāo)準(zhǔn)開啟延遲時(shí)間: 23 ns
