類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
制造商
Vishay Siliconix
系列
E
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
Product Status
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
48A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
49 毫歐 @ 17A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）
98 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
4013 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
278W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
PowerPAK®10 x 12
封裝/外殼
8-PowerBSFN
ESDCAN05-2BWY
TCAN1145DMTRQ1
CC115LRGPR
AWR1843ABGABLRQ1
LP87702KRHBRQ1
NRF52832-QFAA-R
TJA1145ATK/FD/0Z
