類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™5
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
Product Status
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
38A（Ta）， 399A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
1.1 毫歐 @ 100A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
3.3V @ 148μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）
154 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
8100 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta）， 313W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
PG-HSOF-5-1
封裝/外殼
5-PowerSFN
基本產(chǎn)品編號
IST011N
TPS1H200AQDGNRQ1 21+
R7F7010233AFP#BA4
IRS20957STRPBF
TPS92610QPWPRQ1
TMP451AQDQFTQ1 21+
OPA2365AIDR 21+
