IPD200N15N3 G

製造商: Infineon
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/外殼: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 150 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 50 A
Rds On - 漏-源電阻: 16 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2 V
Qg - 閘極充電: 31 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 150 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: OptiMOS
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 6 ns
互導(dǎo) - 最小值: 29 S
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 11 ns
2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 23 ns
標準開啟延遲時間: 14 ns
寬度: 6.22 mm
零件號別名: SP000386665 IPD200N15N3GBTMA1
每件重量: 330 mg