類別
分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商
IXYS
系列
HiPerFET™, Polar
包裝
管件
Product Status
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
500 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
90A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
49 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 8mA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）
240 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
20000 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1040W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
底座安裝
供應商器件封裝
SOT-227B
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
基本產(chǎn)品編號
IXFN100
