FDMS3669S

FDMS3669S
產(chǎn)品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: Power-56-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 60 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 10 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 34 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: Power Stage PowerTrench
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): onsemi / Fairchild
配置: Dual
下降時間: 3 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 113 S
高度: 1.1 mm
長度: 6 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 3 ns
系列: FDMS3669S
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 2 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 24 ns
典型接通延遲時間: 9 ns
寬度: 5 mm
單位重量: 171 mg
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2N2907A ST/意法
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FDMS3669S ON/安森美
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MC33178DR2G ON/安森美
PSMN017-60YS,115 NEXPERIA/安世
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