技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
54A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
11 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 1mA
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
2769 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
79W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
LFPAK33
封裝/外殼
SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線）
