TSM025NH04CR RLGTSM043NH04LCR RLGTSM043NH04CR RLGTSM070NH04CR RLG
TSM056NH04CR RLGTSM056NH04LCR RLGTSM032NH04LCR RLGTSM019NH04LCR RLG
TSM070NH04LCR RLGTSM032NH04CR RLGTSM019NH04CR RLG
臺(tái)積電先進(jìn)的專有工藝顯著改善了 PerFET 器件的通態(tài)電阻和品質(zhì)因數(shù)
臺(tái)積電的PerFET 系列單通道和雙通道 40 V 功率 MOSFET 基于專有器件結(jié)構(gòu)和工藝構(gòu)建，可實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 和開(kāi)關(guān)品質(zhì)因數(shù) (FOM)。PerFET 器件實(shí)現(xiàn)了 50% 的 RDS(ON)和 40% 的 FOM 降低，使該產(chǎn)品組合處于行業(yè)領(lǐng)先的性能優(yōu)勢(shì)。40 V N 通道 PerFET 平臺(tái)包括滿足標(biāo)準(zhǔn) (10 V) 和邏輯電平 (5 V) 柵極驅(qū)動(dòng)要求的選項(xiàng)，同時(shí)在開(kāi)關(guān)應(yīng)用中發(fā)生開(kāi)關(guān)電壓瞬變和雪崩時(shí)保持堅(jiān)固的安全工作區(qū)域裕度。
特征
R DS(ON)降低 50%：降低功率損耗 40% FOM 改進(jìn)：改進(jìn)的開(kāi)關(guān)性能 可潤(rùn)濕側(cè)面引線：提高焊點(diǎn)可靠性和自動(dòng)光學(xué)檢測(cè) (AOI) 單通道和雙通道封裝 100% UIS 和 Rg測(cè)試 AEC-Q 汽車認(rèn)證：+175°CTj(max)對(duì)汽車和工業(yè)應(yīng)用具有吸引力；提供生產(chǎn)件批準(zhǔn)流程 (PPAP) 文件 全球材料合規(guī)性：符合 RoHS、無(wú)鹵素（根據(jù) IEC-61249-2-21）、WEEE、REACH、加利福尼亞 Prop. 65、JESD-201 2 類晶須測(cè)試等 應(yīng)用 開(kāi)關(guān)模式電源 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 電信 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 多旋翼 轉(zhuǎn)換器、充電器和電機(jī)控制電路中的續(xù)流二極管
