類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™-5
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
Product Status
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
300A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
1.5 毫歐 @ 100A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 275μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
216 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
16011 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
375W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
PG-HSOF-8-1
封裝/外殼
8-PowerSFN
基本產(chǎn)品編號
IAUT300
TLE9180D-31QK
TLE6368G2
BQ27426YZFR
LP2951-50DRGR
RAJ240275C20DNP#HC1
