類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
制造商
IXYS
系列
HiPerFET™, Ultra X2
包裝
管件
Product Status
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
22A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
160 毫歐 @ 11A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
5.5V @ 1.5mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）
38 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
2310 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
390W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
TO-247（IXTH）
封裝/外殼
TO-247-3
基本產(chǎn)品編號(hào)
IXFH22
