Brand Name ON Semiconductor
是否無鉛
不含鉛
生命周期 Active
Objectid 8229129484
包裝說明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5
制造商包裝代碼 483AF
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 55 weeks
Date Of Intro 2017-02-03
風險等級 7.52
Samacsys Description 100 V N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET
Samacsys Manufacturer onsemi
Samacsys Modified On 2020-12-02 06:26:57
雪崩能效等級（Eas） 486 mJ
外殼連接 FDMS86180
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 100 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 151 A
最大漏極電流 (ID) 151 A
最大漏源導通電阻 0.0032 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反饋電容 (Crss) 55 pF
JEDEC-95代碼 MO-240AA
JESD-30 代碼 R-PDSO-N5
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數(shù)量 1
端子數(shù)量 5
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
最低工作溫度 -55 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 138 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 775 A
表面貼裝 YES
端子面層 MATTE TIN
端子形式 NO LEAD
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
最大關閉時間（toff） 62 ns
最大開啟時間（噸） 61 ns
FDMS86180
