NSVMMUN2136LT1G
制造商:
onsemi
產(chǎn)品種類:
雙極晶體管 - 預(yù)偏置
RoHS:
詳細(xì)信息
配置:
Single
晶體管極性:
PNP
典型輸入電阻器:
100 kOhms
典型電阻器比率:
1
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-23-3
直流集電極/Base Gain hfe Min:
80 at 5 mA, 10 V
最大工作頻率:
-
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:
- 50 V
集電極連續(xù)電流:
- 100 mA
Pd-功率耗散:
246 mW
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
封裝:
Reel
封裝:
Cut Tape
商標(biāo):
onsemi
通道模式:
Enhancement
產(chǎn)品類型:
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
資格:
AEC-Q101
工廠包裝數(shù)量:
3000
子類別:
Transistors
NSVMMUN2136LT1G
發(fā)布時(shí)間:2022/8/24 14:24:00 訪問(wèn)次數(shù):54 發(fā)布企業(yè):深圳市科雨電子有限公司
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