類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
制造商
onsemi
系列
-
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
Product Status
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
19A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
74 毫歐 @ 19A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）
40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
1000 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
71W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
DPAK
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
基本產(chǎn)品編號(hào)
NTD6416
FDD9407L-F085
silicon lab WT32I-A-AI6
L9301-TR
IPC100N04S51R7ATMA1
BSP452HUMA1
SPC5643LFF2MLQ1
