IPD053N06NATMA1 全新原裝正品 現貨

IPD053N06NATMA1

類別
分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
Product Status
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
18A（Ta），45A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
5.3 毫歐 @ 45A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.8V @ 36μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
27 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
2000 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3W（Ta），83W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TO252-3
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
基本產品編號
IPD053




NCV8705MW30TCG
NSVBAS21TMR6T1G
NTMFS5C628NLT1G
SBC846ALT1G
LCS700HG
BD33C0AWFP-E2
DTA114YMT2L
RBQ30NS100AFHTL
SI8620EC-B-ISR