類別
分立半導體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
Product Status
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
55 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
17A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
75 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
370 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
45W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D-Pak
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
基本產(chǎn)品編號
IRFR024
SI8440AB-D-IS1
AK4375AECB-L
AS4C32M16D2A-25BCN
W9825G6JH-6
AOZ2013PI
BCM5464SKRB
AD8538ARZ-REEL7
