STP10NK60ZFP

參數(shù)名稱 參數(shù)值
Source Content uid STP10NK60ZFP
Brand Name STMicroelectronics
生命周期 Active
Objectid 1932873223
零件包裝代碼 TO-220AB
包裝說明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
針數(shù) 3
Reach Compliance Code not_compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 50 weeks
風(fēng)險等級 1.61
Samacsys Description N-isolated MOSFET,STP10NK60ZFP 10A 600V
Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Samacsys Modified On 2022-07-08 14:47:23
YTEOL 6.08
雪崩能效等級（Eas） 300 mJ
外殼連接 ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 600 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 10 A
最大漏極電流 (ID) 10 A
最大漏源導(dǎo)通電阻 0.75 Ω
FET 技術(shù) METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-220AB
JESD-30 代碼 R-PSFM-T3
JESD-609代碼 e3
元件數(shù)量 1
端子數(shù)量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 35 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 36 A
認(rèn)證狀態(tài) Not Qualified
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 NO
端子面層 MATTE TIN
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶體管應(yīng)用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON