STN2NF10

參數(shù)名稱(chēng) 參數(shù)值
Source Content uid STN2NF10
Brand Name STMicroelectronics
生命周期 Active
Objectid 1917561540
零件包裝代碼 SOT-223
包裝說(shuō)明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
針數(shù) 4
Reach Compliance Code not_compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 32 weeks 4 days
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 1.59
Samacsys Description N-channel 100 V, 0.23 Ohm, 2.4 A STripFET(TM) II POWER MOSFET in SOT-223 package
Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Samacsys Modified On 2022-09-01 06:34:42
YTEOL 5.67
雪崩能效等級(jí)（Eas） 300 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 100 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 2 A
最大漏極電流 (ID) 2 A
最大漏源導(dǎo)通電阻 0.26 Ω
FET 技術(shù) METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼 R-PDSO-G4
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級(jí) 1
元件數(shù)量 1
端子數(shù)量 4
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類(lèi)型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2.5 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 8 A
認(rèn)證狀態(tài) Not Qualified
子類(lèi)別 FET General Purpose Power
表面貼裝 YES
端子面層 Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間 30
晶體管應(yīng)用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON