IRFH5210TRPBF

製造商: Infineon
產(chǎn)品類型: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/外殼: PQFN-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 100 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 10 A
Rds On - 漏-源電阻: 14.9 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 4 V
Qg - 閘極充電: 40 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 3.6 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Infineon / IR
配置: Single
下降時(shí)間: 6.5 ns
互導(dǎo) - 最小值: 66 S
高度: 0.83 mm
長度: 6 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 9.7 ns
原廠包裝數(shù)量: 4000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時(shí)間: 21 ns
標(biāo)準(zhǔn)開啟延遲時(shí)間: 7.2 ns
寬度: 5 mm
零件號(hào)別名: IRFH5210TRPBF SP001556226
每件重量: 122.136 mg