商品目錄 功率MOSFET
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 5μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 3.5nC @ 4.5V
柵極電壓Vgs ±12V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 290pF @ 16V
Pd-功率耗散(Max) 1.3W(Ta)
工作溫度 -55°C~150°C(TJ)
系列 HEXFET®
驅(qū)動(dòng)電壓@Rds On（Max),Rds On(Min） 2.5V,4.5V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 5μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 3.5nC @ 4.5V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 290pF @ 16V
Rds On(Max)@Id,Vgs 46mΩ@4.1A,4.5V
FET類(lèi)型 N-Channel
漏源極電壓Vds 20V
連續(xù)漏極電流Id 4.1A
封裝/外殼 Micro3™/SOT-23
電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs 4.5V
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds 16V
IRLML6246TRPBF
發(fā)布時(shí)間:2022/9/24 11:16:00 訪問(wèn)次數(shù):130
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