產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8FL-4
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 140 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 136 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 200 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
配置: Single
下降時(shí)間: 740 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 860 ns
包裝數(shù)量：1500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel Power MOSFET
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 540 ns
典型接通延遲時(shí)間: 50 ns
單位重量: 187 mg
NVMFS5A140PLZT1G MOSFET或IGBT的開關(guān)功能IC 安森美 SO-8FL-4 2年內(nèi)
發(fā)布時(shí)間:2022/9/27 15:36:00 訪問(wèn)次數(shù):52
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