產(chǎn)品屬性
屬性值
制造商:
Infineon
產(chǎn)品種類(lèi):
MOSFET
RoHS:
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-247-3
晶體管極性:
N-Channel
通道數(shù)量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
600 V
Id-連續(xù)漏極電流:
20.2 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:
170 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
2.5 V
Qg-柵極電荷:
63 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
151 W
通道模式:
Enhancement
商標(biāo)名:
CoolMOS
封裝:
Tube
商標(biāo):
Infineon Technologies
配置:
Single
下降時(shí)間:
8 ns
高度:
21.1 mm
長(zhǎng)度:
16.13 mm
產(chǎn)品類(lèi)型:
MOSFET
上升時(shí)間:
10 ns
系列:
CoolMOS E6
工廠包裝數(shù)量:
240
子類(lèi)別:
MOSFETs
晶體管類(lèi)型:
1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:
90 ns
典型接通延遲時(shí)間:
12 ns
寬度:
5.21 mm
零件號(hào)別名:
IPW60R190E6 SP000797384
單位重量:
6 g
2ED21094S06JXUMA1
2ED28073J06FXUMA1
IRS2453DSTRPBF
IR21091STRPBF
IR3598MTRPBF
2EDF7175FXUMA2
2EDF7275KXUMA1
2ED24427N01FXUMA1
IR2102STRPBF
IR21363STRPBF
IR21364STRPBF
IR2233JTRPBF
IR2135JTRPBF
2ED020I12FAXUMA2
IR2130STRPBF
IR2118SPBF
IR4426SPBF
IR2101PBF
IR2108SPBF
IRS2003PBF
IRS21084SPBF
IRS2101PBF
IRS2106PBF
2EDN7523FXTMA1
2EDN7523RXUMA1
IR2118STRPBF
6EDL04N06PTXUMA1
1EDN8511BXUSA1
IRS10752LTRPBF
IRS2008STRPBF
IRS4427STRPBF
IR2106STRPBF
IRS2008SPBF
IRS21867STRPBF
IR2101STRPBF
IRS2004SPBF
IRS2011STRPBF
IR2104STRPBF
IRS2181STRPBF
IR21531STRPBF
2ED2184S06FXUMA1
AUIRS21811STR
IR2127STRPBF
IR21271STRPBF
IR2111STRPBF
IR2304SPBF
IR1167ASTRPBF
IR2011STRPBF
IRS21834STRPBF
IRS21814SPBF
6EDL04N02PRXUMA1
IR2181STRPBF
IR2183STRPBF
IR21834STRPBF
AUIR3241STR
TLE7181EMXUMA1
TLE7182EMXUMA1
IR2010STRPBF
AUIRS2191STR
IR21844STRPBF
IR2104SPBF
IRS2186SPBF
IR2125STRPBF
IR2127SPBF
IRS2110SPBF
TLE92108231QXXUMA1
IRS2113SPBF
IRS21864SPBF
IRS2011SPBF
IR2110PBF
IR2302SPBF
IR2184SPBF
IR2010SPBF
IR2213STRPBF
