IPP045N10N3G

技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝/外殼: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 100 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 100 A
Rds On - 漏-源電阻: 3.9 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門(mén)源門(mén)限電壓 : 2 V
Qg - 閘極充電: 117 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 214 W
通道模式: Enhancement
公司名稱(chēng): OptiMOS
封裝: Tube
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 14 ns
互導(dǎo) - 最小值: 73 S
高度: 15.65 mm
長(zhǎng)度: 10 mm
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 59 ns
系列: OptiMOS 3
原廠包裝數(shù)量: 500
子類(lèi)別: MOSFETs
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
標(biāo)準(zhǔn)斷開(kāi)延遲時(shí)間: 48 ns
標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)啟延遲時(shí)間: 27 ns
寬度: 4.4 mm
零件號(hào)別名: SP000680794 IPP45N1N3GXK IPP045N10N3GXKSA1
每件重量: 2 g