NTMFS002N10MCLT1G

NTMFS002N10MCLT1G

類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管-FET，MOSFET-單個(gè)
制造商
onsemi
系列
-
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET類型
N通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)
22A（Ta），175A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
4.5V，10V
不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
2.8毫歐@50A，10V
不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）
3V@351μA
不同Vgs時(shí)柵極電荷(Qg)（最大值）
97nC@10V
Vgs（最大值）
±20V
不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）
7200pF@50V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
3W（Ta），189W（Tc）
工作溫度
-55°C~175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封裝/外殼
8-PowerTDFN，5引線