IXTA180N10T

製造商: IXYS
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/外殼: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 100 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 180 A
Rds On - 漏-源電阻: 6.4 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門(mén)源門(mén)限電壓 : 2.5 V
Qg - 閘極充電: 151 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 480 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: Trench
封裝: Tray
品牌: IXYS
配置: Single
下降時(shí)間: 31 ns
互導(dǎo) - 最小值: 70 S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 54 ns
原廠包裝數(shù)量: 800
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標(biāo)準(zhǔn)斷開(kāi)延遲時(shí)間: 42 ns
標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)啟延遲時(shí)間: 33 ns
每件重量: 4 g