STP110N8F6,MOSFETN-channel80V,0.0056Ohmtyp110A,STripFETF6PowerMOSFET.
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: ThroughHole
封裝/箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 80V
Id-連續(xù)漏極電流: 110A
RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻: 6.5mOhms
Vgs-柵極-源極電壓: -20V,+20V
Vgsth-柵源極閾值電壓: 2.5V
Qg-柵極電荷: 150nC
最小工作溫度: -55C
最大工作溫度: +175C
Pd-功率耗散: 200W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: STripFET
商標(biāo): STMicroelectronics
配置: Single
下降時(shí)間: 48ns
高度: 15.75mm
長(zhǎng)度: 10.4mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 61ns
系列: STP110N8F6
1000個(gè)一盒
MOSFETs
晶體管類型: 1N-ChannelPowerMOSFET
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 162ns
典型接通延遲時(shí)間: 24ns
寬度: 4.6mm
單位重量: 2g
,全新原裝當(dāng)天發(fā)貨或門市自取，量大價(jià)優(yōu)，電子元器件一站式配單配套,穩(wěn)定供應(yīng)，照片是我們的產(chǎn)品實(shí)拍，因產(chǎn)品過(guò)多原因我們未對(duì)一.一產(chǎn)品進(jìn)行參數(shù)描述，如需了解更多產(chǎn)品信息和價(jià)格歡迎咨詢和購(gòu)買請(qǐng)聯(lián)系我們的工作人員
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STP110N8F6
發(fā)布時(shí)間:2022/10/20 8:51:00 訪問(wèn)次數(shù):45 發(fā)布企業(yè):深圳市晨豪科技有限公司
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