FQD2N80TM

制造商: onsemi
產(chǎn)品種類(lèi): MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DPAK-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 800 V
Id-連續(xù)漏極電流: 1.8 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6.3 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 15 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
商標(biāo): onsemi / Fairchild
配置: Single
下降時(shí)間: 28 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 2.4 S
高度: 2.39 mm
長(zhǎng)度: 6.73 mm
產(chǎn)品類(lèi)型: MOSFET
上升時(shí)間: 30 ns
系列: FQD2N80
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類(lèi)別: MOSFETs
晶體管類(lèi)型: 1 N-Channel
類(lèi)型: MOSFET
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 25 ns
典型接通延遲時(shí)間: 12 ns
寬度: 6.22 mm
單位重量: 330 mg