HMC349AMS8G是一種砷化鎵（GaAs）、偽態(tài)高電子遷移率晶體管（PHEMT）、單極雙擲（SPDT）開關(guān)，規(guī)定為100MHz至4GHz。
HMC349AMS8G具有57 dB的高隔離度、0.9 dB的低插入損耗、52 dBm的高輸入IP3和34 dBm高輸入P1dB，非常適合蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用。
HMC349AMS8G在3V至5V的單正電源電壓下工作，并提供CMOS/TTL兼容控制接口。
HMC349AMS8G采用8引線迷你小外形封裝，帶有外露焊盤。
HMC349AMS8G
發(fā)布時(shí)間:2022/10/31 10:45:00 訪問次數(shù):72 發(fā)布企業(yè):兆億微波（北京）科技有限公司
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