FDB0170N607L

製造商: onsemi
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/外殼: TO-263-7
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 60 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 300 A
Rds On - 漏-源電阻: 3.5 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2 V
Qg - 閘極充電: 173 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 3.8 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降時間: 37 ns
互導(dǎo) - 最小值: 159 S
高度: 4.7 mm
長度: 10.2 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 64 ns
系列: FDB0170N607L
800
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 83 ns
標準開啟延遲時間: 61 ns
寬度: 9.4 mm
每件重量: 1.600 g