制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: Through Hole
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 41 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 68 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5 V
Qg-柵極電荷: 51 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo): Vishay Semiconductors
產(chǎn)品類型: MOSFET
系列: EF
工廠包裝數(shù)量: 1000
子類別: MOSFETs
SIHP068N60EF-GE3
發(fā)布時(shí)間:2022/11/15 14:09:00 訪問次數(shù):47
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