一般說明
這些P溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管使用溝槽DMOS技術(shù)。這種先進(jìn)的技術(shù)特別適合于最小化導(dǎo)通狀態(tài)電阻，提供優(yōu)異的開關(guān)，并在雪崩和換向模式下承受高能量脈沖。這些器件非常適合高效率快速開關(guān)應(yīng)用。
特征
-18V，-80A，RDS（ON）=2.7mΩ@VGS=-10V
改進(jìn)的dv/dt能力
快速切換
綠色設(shè)備可用
應(yīng)用
筆記本
負(fù)載開關(guān)
網(wǎng)絡(luò)
手持儀器
VDS漏極-源極電壓-18 V
VGS柵源電壓±12 V
ID漏電流-連續(xù)（TC=25℃）-80 A
漏電流-連續(xù)（TC=100℃）-54 A
MSK100N03DF DFN3X3-8L
MSK30N03DF DFN3X3-8L
MSK50P03NF DFN5X6-8L
MSK50N03DF DFN3X3-8L
MSK60N03DF DFN3X3-8L
MSK20P80GNF DFN5X6-8L
