類別
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
單 FET，MOSFET
制造商
UnitedSiC
系列
-
包裝
管件
Product Status
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
SiCFET（共源共柵 SiCJFET）
漏源電壓（Vdss）
1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
107A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
12V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
21毫歐 @ 50A，12V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
6V @ 10mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）
218 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
7824 pF @ 800 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
517W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
TO-247-3
封裝/外殼
TO-247-3
基本產(chǎn)品編號(hào)
UF3SC120016
