SI4564DY-T1-GE3

SI4564DY-T1-GE3制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
晶體管極性: N-Channel, P-Channel
通道數(shù)量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 10 A, 9.2 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 17.5 mOhms, 21 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 800 mV, 1.2 V
Qg-柵極電荷: 20.5 nC, 41.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.1 W, 3.2 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: TrenchFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Vishay Semiconductors
配置: Dual
下降時(shí)間: 9 ns, 14 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 27 S, 25 S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 10 ns, 9 ns
系列: SI4
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 18 ns, 50 ns
典型接通延遲時(shí)間: 7 ns, 9 ns
零件號(hào)別名: SI4542DY-T1-E3-S
單位重量: 750 mg