制造商: Vishay
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerPAK SO-8-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V
Id-連續(xù)漏極電流: 146 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 76 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 104 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Reel
商標: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降時間: 20 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 20 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 50 ns
典型接通延遲時間: 46 ns
SIR580DP-T1-RE3
發(fā)布時間:2022/12/2 17:16:00 訪問次數(shù):50
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