一般說明：GD32F103TBU6
GD32F103TBU6器件是基于 Arm® 的 32 位通用微控制器Cortex®-M3 RISC 內(nèi)核在處理能力方面具有最佳比率，降低了功耗
消費和外設(shè)。 Cortex®-M3 是下一代處理器內(nèi)核與嵌套向量中斷控制器 (NVIC)、SysTick 計時器和高級調(diào)試支持。
GD32F103TBU6器件包含 Arm® Cortex®-M3 32 位處理器內(nèi)核，可運行在 108 MHz 頻率下，閃存訪問零等待狀態(tài)以獲得最大效率。它提供高達 3 MB 的片上閃存和高達 96 KB 的 SRAM 存儲器。一個廣泛的連接到兩條 APB 總線的一系列增強型 I/O 和外圍設(shè)備。設(shè)備提供最多三個 12 位 ADC，最多兩個 12 位 DAC，最多十個通用 16 位定時器，兩個基本定時器加上兩個PWM高級定時器，以及標(biāo)準(zhǔn)和高級通信接口：多達三個 SPI、兩個 I2C、三個 USART、兩個 UART、兩個 I2S、一個 USBD、一個 CAN 和一個數(shù)據(jù)輸出。該器件采用 2.6 至 3.6 V 電源供電，溫度范圍為 –40 至 +85 °C溫度范圍。幾種省電模式提供了最大程度的靈活性喚醒延遲和功耗之間的優(yōu)化，一個特別重要的低功率應(yīng)用中的考慮。上述特點使GD32F103TBU6器件適用于廣泛的應(yīng)用，特別是在工業(yè)控制、電機驅(qū)動、電力監(jiān)控和報警系統(tǒng)等領(lǐng)域，消費類和手持設(shè)備、POS、車載 GPS、可視對講、PC 外圍設(shè)備和很快。
功能說明：GD32F103TBU6
3.1. Arm® Cortex®-M3 內(nèi)核
Cortex®-M3 處理器是用于嵌入式系統(tǒng)的最新一代 Arm® 處理器。
它的開發(fā)目的是提供一個滿足 MCU 需求的低成本平臺
實施，具有減少的引腳數(shù)和低功耗，同時提供
出色的計算性能和對中斷的高級系統(tǒng)響應(yīng)。
32 位 Arm® Cortex®-M3 處理器內(nèi)核
高達 108 MHz 的工作頻率
單周期乘法和硬件除法器
集成嵌套向量中斷控制器 (NVIC)
24 位 SysTick 定時器
Cortex®-M3 處理器基于 ARMv7 架構(gòu)，支持 Thumb
和 Thumb-2 指令集。下面列出的一些系統(tǒng)外圍設(shè)備也由
Cortex®-M3：GD32F103TBU6
內(nèi)部總線矩陣連接 I-Code 總線、D-Code 總線、系統(tǒng)總線、Private
外設(shè)總線 (PPB) 和調(diào)試訪問。
∎ 嵌套向量中斷控制器 (NVIC)。
閃存補丁和斷點 (FPB)。
∎ 數(shù)據(jù)觀察點和跟蹤 (DWT)。
儀器跟蹤宏單元 (ITM)。
嵌入式跟蹤宏單元 (ETM)。
串行線 JTAG 調(diào)試端口 (SWJ-DP)。
跟蹤端口接口單元（TPIU）。
內(nèi)存保護單元（MPU）。
3.2.片上存儲器
高達 3072 KB 的閃存
高達 96 KB 的 SRAM
Arm® Cortex®-M3 處理器采用哈佛架構(gòu)，可以使用獨立的
總線來獲取指令和加載/存儲數(shù)據(jù)。 3072 KB 內(nèi)部閃存和 96 KB
內(nèi)部 SRAM 最多可用于存儲程序和數(shù)據(jù)，均在 CPU 上訪問（R/W）
時鐘速度為零等待狀態(tài)。表2-4。GD32F103TBU6內(nèi)存映射顯示
GD32F103TBU6系列器件的內(nèi)存映射，包括代碼、SRAM、外設(shè)和
其他預(yù)定義區(qū)域
3.3.時鐘、復(fù)位和電源管理
內(nèi)部 8 MHz 工廠微調(diào) RC 和外部 4 至 16 MHz 晶振
內(nèi)部 40 KHz RC 校準(zhǔn)振蕩器和外部 32.768 KHz 晶體振蕩器
集成系統(tǒng)時鐘鎖相環(huán)
2.6 至 3.6 V 應(yīng)用電源和 I/O
電源監(jiān)控器：POR（上電復(fù)位）、PDR（掉電復(fù)位）和低電壓
檢測器 (LVD)
時鐘控制單元提供一系列頻率和時鐘功能。這些包括一個
內(nèi)部 8M RC 振蕩器（IRC8M），一個高速晶振（HXTAL），一個低速晶振
內(nèi)部 40K RC 振蕩器（IRC40K）、低速晶體振蕩器（LXTAL）、鎖相器
環(huán)路 (PLL)、HXTAL 時鐘監(jiān)視器、時鐘預(yù)分頻器、時鐘多路復(fù)用器和時鐘門控
電路。 AHB、APB2 和 APB1 域的頻率可以由每個域配置
預(yù)分頻器。 AHB、APB2 和 APB1 域的最大頻率為 108 MHz/108
兆赫/54兆赫。參見圖 2-8。GD32F103TBU6時鐘樹了解詳情。
GD32F103TBU6復(fù)位控制包括對三種復(fù)位的控制：電源復(fù)位、系統(tǒng)復(fù)位
重置和備份域重置。系統(tǒng)復(fù)位復(fù)位處理器內(nèi)核和外設(shè)
除 SW-DP 控制器和備份域外的 IP 組件。上電復(fù)位
(POR) 和掉電復(fù)位 (PDR) 始終處于活動狀態(tài)，并確保正常運行
從/降至 2.6 V。當(dāng) VDD 低于指定值時，器件保持復(fù)位模式
臨界點。嵌入式低電壓檢測器 (LVD) 監(jiān)控電源，比較
它達到電壓閾值，并產(chǎn)生一個中斷作為警告信息，用于引導(dǎo)
單片機進入安全。
供電方案：
VDD 范圍：2.6 至 3.6 V，外部電源用于 I/O 和內(nèi)部調(diào)節(jié)器。
通過 VDD 引腳從外部提供。
VSSA、VDDA 范圍：2.6 至 3.6 V，ADC 的外部模擬電源、復(fù)位模塊、
RC 和 PLL。 VDDA 和 VSSA 必須分別連接到 VDD 和 VSS。
VBAT 范圍：1.8 至 3.6 V，RTC 電源，外部時鐘 32 KHz 振蕩器和
當(dāng) VDD 不存在時備份寄存器（通過電源開關(guān)）。
3.4.啟動模式
啟動時，引導(dǎo)引腳用于選擇三個引導(dǎo)選項之一：
從主閃存啟動（默認）
從系統(tǒng)內(nèi)存啟動
從片上 SRAM 啟動
引導(dǎo)加載程序位于內(nèi)部引導(dǎo) ROM 存儲器（系統(tǒng)存儲器）中。它用于
使用 USART0（PA9 和 PA10）重新編程閃存，如果設(shè)備是
GD32F103xF/G/I/K、USART1（PA2 和 PA3）也可用于引導(dǎo)功能。它還可以用于傳輸和更新閃存代碼、數(shù)據(jù)和向量表部分。
默認情況下，選擇從閃存的 bank 0 啟動。它還支持開機
通過在選項字節(jié)中設(shè)置一個位，從閃存的 bank 1 中讀取。
詳細參數(shù)：GD32F103TBU6
參數(shù)名稱 參數(shù)值
生命周期聯(lián)系制造商
IHS 制造商 GIGADEVICE SEMICONDUCTOR INC
訂貨包裝代碼 QFN36
包裝說明 QFN-36
達到合規(guī)代碼未知
風(fēng)險等級 5.83
最大速度 (MHz) 108
內(nèi)存（字節(jié)） 閃存 128K
內(nèi)存（字節(jié)） SRAM 20K
I/O 高達 26
定時器 GPTM（32 位）
定時器 GPTM (16 位) 3
定時器高級 TM (16bit) 1
Timer Basic TM (16bit)
定時器 SysTick (24 位) 1
定時器 WDG 2
定時器 RTC 1
連通性 USART
連接 I2C 1
連接 SPI 1
連接 USB 2 FS 1
連接 I2S
連通性比較
連接運算放大器
模擬接口 12 位 ADC 單元 (CH) 2(10)
模擬接口 12 位 DAC 單元
封裝 QFN36
以下物料均有現(xiàn)貨庫存：GD32F103TBU6
GD32F103RCT6
GD32F103CBT6
GD32F107RCT6
GD32F103C8T6
GD32F130C8T6
GD32F130F8P6TR
GD32F150C8T6
GD32F150G8U6
GD32F103VBT6
GD32F103RBT6
GD32F103TBU6
GD32F103VCT6
GD32F103VGT6
GD32F103VET6
GD32F103RET6
GD32F105VCT6
GD32F105RCT6
GD32F107VCT6
GD32F303VET6
GD32F303RCT6
GD32F305VCT6
GD32F330C8T6
GD32F330CBT6
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GD32F303CCT6
GD32F303RGT6
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