IPD100N04S4-02
制造商:
Infineon
產(chǎn)品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細(xì)信息
技術(shù):
Si
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
TO-252-3
晶體管極性:
N-Channel
通道數(shù)量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
40 V
Id-連續(xù)漏極電流:
100 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:
1.7 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
3 V
Qg-柵極電荷:
91 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
150 W
通道模式:
Enhancement
資格:
AEC-Q101
商標(biāo)名:
OptiMOS
封裝:
Reel
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
商標(biāo):
Infineon Technologies
配置:
Single
下降時(shí)間:
24 ns
高度:
2.3 mm
長(zhǎng)度:
6.5 mm
產(chǎn)品類型:
MOSFET
上升時(shí)間:
12 ns
系列:
OptiMOS-T2
工廠包裝數(shù)量:
2500
子類別:
MOSFETs
晶體管類型:
1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:
26 ns
典型接通延遲時(shí)間:
23 ns
寬度:
6.22 mm
零件號(hào)別名:
SP000646184 IPD1N4S42XT IPD100N04S402ATMA1
單位重量:
330 mg
IPD100N04S4-02 MOSFET
發(fā)布時(shí)間:2022/12/14 14:09:00 訪問(wèn)次數(shù):56
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