型號(hào)：FGA40T65SHD
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 單 IGBT
制造商
onsemi
IGBT 類型
溝槽型場(chǎng)截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）
80 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)
120 A
不同Vge、Ic 時(shí)Vce(on)（最大值）
2.1V @ 15V，40A
功率 - 最大值
268 W
開關(guān)能量
1.01mJ（開），297μJ（關(guān)）
輸入類型
標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷
72.2 nC
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值
19.2ns/65.6ns
測(cè)試條件
400V，40A，6 歐姆，15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)
31.8 ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
供應(yīng)商器件封裝
TO-3PN
深圳市騰浩偉業(yè)電子有限公司
TEL：13420935820
型號(hào)：FGA40T65SHD
