FDN5632N-F085

製造商: onsemi
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/外殼: SSOT-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 60 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 1.6 A
Rds On - 漏-源電阻: 98 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 1 V
Qg - 閘極充電: 12 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 1.1 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
公司名稱: UltraFET
系列: FDN5632N_F085
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降時(shí)間: 1.3 ns
高度: 1.12 mm
長度: 2.9 mm
產(chǎn)品: MOSFET Small Signal
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 1.7 ns
原廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: Power Trench MOSFET
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時(shí)間: 5.2 ns
標(biāo)準(zhǔn)開啟延遲時(shí)間: 15 ns
寬度: 1.4 mm
零件號別名: FDN5632N_F085
每件重量: 30 mg