2SB1151L-TO126T-Y-TG_UTC代理商導(dǎo)讀
UCS165XS 有非常低的啟動(dòng)電流(<5uA)和較低的起始電壓,并且內(nèi)含高壓?jiǎn)?dòng)開關(guān),與常規(guī)PWM IC 相比,可大限度地減少外部電路之啟動(dòng)功耗損失,同時(shí)又能保障啟動(dòng)速度最快,對(duì)VCC 腳位電容值的上限限制極低。
啟動(dòng)電容建議選用電解電容(供電)和SMD 陶瓷電容(高頻濾波)并聯(lián)配套使用,啟動(dòng)電容可選2.2~10uF 的電容,SMD 陶瓷選用100nF。
2SB1151L-TO126T-Y-TG_UTC代理商" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202204/20220420154947944794.jpg" />
MMBT2907AG-SOT23.3R-TG
半導(dǎo)體行業(yè)從誕生至今 ,先后經(jīng)歷了三代材料的變更程 ,截至目前 ,功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域仍主要采 用以 Si 為代表的第一半導(dǎo)體材料 。
(1)主要選型參數(shù):漏源電壓VDS(耐壓),ID 連續(xù)漏電流,RDS(on) 導(dǎo)通電阻,Ciss 輸入電容(結(jié)電容),品質(zhì)因數(shù)FOM=Ron * Qg等。(2)根據(jù)不同的工藝又分為 Trench MOS:溝槽型MOS,主要低壓領(lǐng)域100V內(nèi); SGT (Split Gate)MOS:分裂柵MOS,主要中低壓領(lǐng)域200V內(nèi); SJ MOS:超結(jié)MOS,主要在高壓領(lǐng)域 600-800V;。
一旦OVP 發(fā)生,功率管關(guān)閉,如果過(guò)電壓解除,系統(tǒng)將在下一次上電后恢復(fù)正常工作。VCC 過(guò)壓保護(hù)功能是自動(dòng)恢復(fù)重啟的保護(hù)。
不同功率半導(dǎo)體器件 ,其承受電壓 、電流容量 、阻抗能力 、體積大小等特性也會(huì)不同 ,實(shí)際使用中 , 需要根據(jù)不同領(lǐng)域 、不同需求來(lái)選用合適的器件。
2SB1151L-TO126T-Y-TG_UTC代理商" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202204/20220420154951345134.jpg" />
UTC代理商
UT2302G-SC59.3R-TG UPC817DG-DIP4T-TG U74LV1T34G-SOT353R-TG U74LVC126AG-TSSOP14R-TG UT100N03L-TO220T-TG 。
LD1117AG-SOT223R-50-ATZ4GQ BC807G-SOT23.3R-25-TG 1N4148L-SOD123R-TG MC34063AG-SOP8R-1TG CD4069G-SOP14R-TG 。
MMBTA42L-SOT23.3R-TG MPSA44L-SOT89R-TG 1N60AL-TO92B-B-TG UR7250G-SC59.3R-TG LD2985G-SC59.5R-50-TG 。
MMBT1815G-SOT23.3R-BL-TG LD1117AG-SOT223R-33-ATZ4GQ LM324G-SOP14R-2TG 2SD1857G-SOT223R-Q-TM1G UPC817DG-SMD4R-TUG 。
2SB1151L-TO126T-Y-TG_UTC代理商" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202204/20220420154955135513.jpg" />
并以最小頻率工作。待機(jī):FB 調(diào)整芯片工作在Burst mode 里,并控制CS 值。
軟啟動(dòng)Phase 結(jié)束后,若Vout 未達(dá)到輸出設(shè)定值Vo,則IC 以大占空比繼續(xù)上電直至上電完畢,VFB 降低進(jìn)入正常環(huán)路調(diào)節(jié)電壓范圍1.35~4.2V;軟啟動(dòng)Phase 期間,若Vout 達(dá)到輸出設(shè)定值Vo,則VFB 降低進(jìn)入正常環(huán)路調(diào)節(jié)電壓范圍1.35~4.2V,環(huán)路PWM 由VFB 控制直至上電完畢,;。
相關(guān)資訊