製造商: onsemi
產(chǎn)品類型: MOSFET
技術(shù): SiC
安裝風(fēng)格: Through Hole
封裝/外殼: TO-247-4
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 650 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 38 A
Rds On - 漏-源電阻: 85 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 8 V, + 22 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 4.3 V
Qg - 閘極充電: 61 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 148 W
通道模式: Enhancement
系列: NTH4L075N065SC1
封裝: Tube
品牌: onsemi
下降時(shí)間: 7 ns
互導(dǎo) - 最小值: 9 S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 12 ns
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子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時(shí)間: 20 ns
標(biāo)準(zhǔn)開啟延遲時(shí)間: 10 ns
