IPDQ60R065S7XTMA1

製造商: Infineon
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/外殼: HDSOP-22
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 600 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 9 A
Rds On - 漏-源電阻: 65 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 3.5 V
Qg - 閘極充電: 51 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 195 W
通道模式: Enhancement
系列: IPDQ60R065S7
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 9 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 5 ns
750
子類別: MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時(shí)間: 100 ns
標(biāo)準(zhǔn)開啟延遲時(shí)間: 15 ns
零件號別名: IPDQ60R065S7 SP005559296