SIS890ADN-T1-GE3

製造商: Vishay
產(chǎn)品類型: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)資料
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝/外殼: PowerPAK-1212-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù): 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 100 V
Id - C連續(xù)漏極電流: 24.7 A
Rds On - 漏-源電阻: 25.5 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2.5 V
Qg - 閘極充電: 19.2 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 39 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: TrenchFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Vishay / Siliconix
下降時(shí)間: 4 ns
互導(dǎo) - 最小值: 45 S
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 6 ns
原廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: TrenchFET Power MOSFET
標(biāo)準(zhǔn)斷開延遲時(shí)間: 19 ns
標(biāo)準(zhǔn)開啟延遲時(shí)間: 9 ns
每件重量: 1 g