產(chǎn)品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 65 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 6 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 12.7 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
系列: BSC886N03
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): Infineon Technologies
配置: Single
下降時(shí)間: 3 ns
高度: 1.27 mm
長度: 5.9 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 3.2 ns
5000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 18 ns
典型接通延遲時(shí)間: 4.2 ns
寬度: 5.15 mm
零件號別名: SP000475950 BSC886N3LSGXT BSC886N03LSGATMA1
