Source Content uid ISO5452QDWRQ1
Brand Name Texas Instruments
是否無(wú)鉛
不含鉛
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期 Active
Objectid 8203844499
包裝說(shuō)明 SOP,
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Taiwan
ECCN代碼 EAR99
Date Of Intro 2016-10-03
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 1
Samacsys Description High-CMTI 2.5-A/5-A Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver With Split Outputs and Protection Features
Samacsys Manufacturer Texas Instruments
Samacsys Modified On 2021-08-02 16:02:48
YTEOL 15
高邊驅(qū)動(dòng)器 NO
接口集成電路類型 AND GATE BASED IGBT/MOSFET DRIVER
JESD-30 代碼 R-PDSO-G16
JESD-609代碼 e4
長(zhǎng)度 10.3 mm
濕度敏感等級(jí) 2
功能數(shù)量 1
端子數(shù)量 16
最高工作溫度 125 °C
最低工作溫度 -40 °C
最大輸出電流 5 A
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝代碼 SOP
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
篩選級(jí)別 AEC-Q100
座面最大高度 2.65 mm
最大供電電壓 5.5 V
最小供電電壓 2.25 V
標(biāo)稱供電電壓 5 V
電源電壓1-最大 30 V
電源電壓1-分鐘 15 V
表面貼裝 YES
溫度等級(jí) AUTOMOTIVE
端子面層 NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式 GULL WING
端子節(jié)距 1.27 mm
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間 30
斷開(kāi)時(shí)間 0.11 μs
接通時(shí)間 0.11 μs
寬度 7.5 mm
